
電子工業(yè)潔凈廠房檢測(cè)方法步驟


電子工業(yè)屬于高度規(guī)范化行業(yè),國(guó)際和國(guó)內(nèi)均有嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)(如GB50472-2008《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》、ISO14644系列標(biāo)準(zhǔn))。定期檢測(cè)并記錄數(shù)據(jù)是滿足法規(guī)要求的硬性指標(biāo),也是企業(yè)進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)、獲取客戶認(rèn)證的必要前提。電子工業(yè)潔凈廠房檢測(cè)有哪些方法步驟?
電子工業(yè)潔凈廠房檢測(cè)方法步驟
(1)空氣潔凈度檢測(cè)
采樣點(diǎn)布置:按潔凈室面積和等級(jí)確定,面積≤10㎡設(shè)1個(gè)點(diǎn),10-30㎡設(shè)2個(gè)點(diǎn),30㎡以上每增加20㎡增設(shè)1個(gè)點(diǎn)(不足20㎡按20㎡計(jì))。采樣點(diǎn)均勻分布在工作區(qū)高度(距地面0.8-1.5m),避開(kāi)送回風(fēng)口、設(shè)備及障礙物。
采樣操作:選用合適流量的激光粒子計(jì)數(shù)器(常用2.83L/min或50L/min),Class5級(jí)及以上潔凈度等級(jí)每個(gè)采樣點(diǎn)最小采樣量為1m3,低等級(jí)潔凈室可適當(dāng)減少,但采樣時(shí)間不少于1分鐘。采樣口正對(duì)氣流方向(垂直單向流向上,水平單向流朝氣流來(lái)向),每個(gè)點(diǎn)連續(xù)采樣至少3次,每次間隔清潔采樣口周圍。
(2)風(fēng)速與風(fēng)量檢測(cè)
風(fēng)速檢測(cè):在送風(fēng)口、回風(fēng)口及關(guān)鍵氣流區(qū)域布置測(cè)點(diǎn),使用風(fēng)速儀測(cè)量。對(duì)于單向流潔凈室,截面平均風(fēng)速應(yīng)在0.2-0.5m/s;非單向流潔凈室,通過(guò)測(cè)量風(fēng)口風(fēng)速計(jì)算房間換氣次數(shù),一般要求十萬(wàn)級(jí)潔凈室換氣次數(shù)≥15次/h。
風(fēng)量檢測(cè):使用風(fēng)量罩測(cè)量送風(fēng)口風(fēng)量,或通過(guò)風(fēng)管內(nèi)風(fēng)速及風(fēng)管截面積計(jì)算。各風(fēng)口實(shí)測(cè)風(fēng)量與設(shè)計(jì)風(fēng)量偏差應(yīng)在±15%以內(nèi),系統(tǒng)總風(fēng)量與設(shè)計(jì)風(fēng)量偏差在±10%以內(nèi)。
(3)靜壓差檢測(cè):采用微差壓力計(jì),在潔凈室與相鄰不同級(jí)別區(qū)域、潔凈室與非潔凈室之間的門(mén)、窗及相通開(kāi)口處測(cè)量靜壓差。相鄰不同級(jí)別潔凈室之間和潔凈室與非潔凈室之間靜壓差應(yīng)大于5Pa,潔凈室與室外之間靜壓差應(yīng)大于10Pa。
(4)溫濕度檢測(cè):在送回風(fēng)口、恒溫恒濕工作區(qū)代表性位置布置溫濕度測(cè)點(diǎn),距外墻表面大于0.5m,離地面0.8m高度。潔凈室面積<50m2設(shè)5個(gè)點(diǎn),每增加20-50m2增加3-5個(gè)點(diǎn)。90%以上測(cè)點(diǎn)溫濕度偏差值需在設(shè)計(jì)要求范圍內(nèi)。
(5)噪聲檢測(cè):生產(chǎn)設(shè)備正常運(yùn)行時(shí),使用聲級(jí)計(jì)在潔凈室內(nèi)按面積均分設(shè)置測(cè)點(diǎn),每50m2設(shè)一點(diǎn),位于中心位置,距地面1.1-1.5m高度。非單向流潔凈室噪聲級(jí)(空態(tài))不應(yīng)大于60dB(A),單向流、混合流潔凈室不應(yīng)大于65dB(A)。
(6)照度檢測(cè):在工作面上均勻布置照度測(cè)點(diǎn),使用照度計(jì)測(cè)量。電子工業(yè)潔凈廠房工作面照度一般要求≥300lx,且照度均勻度不低于0.7。
(7)微生物檢測(cè)(若有需要)
浮游菌檢測(cè):采用浮游菌采樣器,在工作區(qū)或指定區(qū)域按一定布點(diǎn)原則采樣,采樣后將培養(yǎng)皿置于30-35℃恒溫培養(yǎng)箱培養(yǎng)不少于48h,計(jì)數(shù)菌落數(shù)量。
沉降菌檢測(cè):將已制備好的培養(yǎng)皿放置在預(yù)先確定的取樣點(diǎn),打開(kāi)培養(yǎng)皿蓋使培養(yǎng)基表面暴露0.5小時(shí),蓋上蓋后倒置,在30-35℃恒溫培養(yǎng)箱培養(yǎng)不少于48h后計(jì)數(shù)菌落。
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