說到國產(chǎn)自主研發(fā)芯片，發(fā)展最快的芯片大概就是內(nèi)存芯片了，尤其是紫光集團的公司，在內(nèi)存DRAM和閃存NAND芯片方面已經(jīng)有上市產(chǎn)品。當然最突出的還是長江存儲的NAND閃存芯片。目前市場上很多存儲公司都采用了長江存儲的閃存芯片來構(gòu)建固態(tài)硬盤，性能部分不輸于海外品牌的閃存。

說到長江存儲，這家公司早在2018年就宣布推出自己的Xtacking架構(gòu)3D閃存，但當時還是32層堆疊，技術在國際上并不領先。然而今天，長江存儲已經(jīng)能夠鋪開128層堆疊式閃存顆粒，效率和技術的快速提升著實令人驚訝。更何況長江存儲的128層堆疊閃存顆粒目前已經(jīng)上市銷售，將好的技術商業(yè)化，顯然對國內(nèi)公司更有意義。

國內(nèi)存儲公司Asgat推出了一款名為AN4的NVME SSD，采用PCI-E 0×4接口，長江存儲128層堆棧式閃存顆粒。最高讀取速度可以達到7500 MB/s，同時寫入速度也可以達到5500 MB/s，雖然這款產(chǎn)品的產(chǎn)能和良率都不算太好，但是僅從性能上來看，國產(chǎn)閃存顆粒不輸于國外閃存顆粒，這也證明了長江存儲的技術實力。

目前長江存儲的128層堆疊閃存顆粒有兩種型號，分別是X2-6070和X2-9060。前者雖然使用了QLC顆粒，但卻擁有已知最大的單位面積存儲密度、最高的I/O傳輸速度和最高的單個NAND存儲芯片容量。后者是目前主流的3D TLC顆粒，也就是目前民用市場固態(tài)硬盤產(chǎn)品中使用的顆粒，比如Asgat的AN4使用的X2-9060閃存顆粒。

從技術上看，長江存儲128層堆疊產(chǎn)品采用的Xtacking架構(gòu)已經(jīng)升級到0，可以進一步釋放3D閃存的性能。基于電荷陷阱存儲技術，在2V Vccq電壓下可實現(xiàn)6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。前幾天有海外媒體買了Asgat的AN4固態(tài)硬盤進行拆解，用它來分析長江中存儲的128層堆疊的TLC顆粒。

AN4 1TB SSD采用長江存儲128層堆疊的512Gb TLC芯片，尺寸60.42mm2，位密度48 Gb/ mm2，比采用第一代Xtacking 0工藝的芯片提升92%。長江Xtacking混合鍵合技術使用兩個晶圓來集成3D NAND器件，因此可以找到兩個核心，一個用于NAND陣列芯片，另一個用于CMOS外圍芯片。其單元結(jié)構(gòu)由層界面的緩沖層連接的兩層組成，與凱夏的112層堆疊的BiCS 3D NAND閃存的結(jié)構(gòu)工藝相同。

雖然三星、夢龍、海力士也有128層堆疊的閃存顆粒，但是從密度上來說，長江存儲的裸芯片體積更小，密度更高，所以他們顯然有更好的技術。因此，海外媒體也認為，長江存儲的128層堆疊技術在容量、位密度、I/O速度等方面可以與其他一線閃存公司相抗衡，在技術上已經(jīng)趕上了三星、夢龍等其他行業(yè)領袖。

當然，我們之前也說過，雖然技術已經(jīng)趕上，但是國內(nèi)存儲公司的生產(chǎn)規(guī)模還是遠遠落后于海外一流廠商，這在商業(yè)上會是一個劣勢。Asgat生產(chǎn)了一批AN4后，沒有后續(xù)出貨跟上。現(xiàn)在，這款產(chǎn)品已經(jīng)全網(wǎng)下架。很大的原因是產(chǎn)品供應跟不上，這和長江存儲限量出貨不無關系。

當然，生產(chǎn)規(guī)模可以慢慢提高，長江存儲在技術上的突破還是值得國人欣喜的。畢竟在存儲領域，國產(chǎn)芯片在技術和性能上并不遜色于三星、夢龍等頂級廠商，這在以前是比較少見的。未來，我們也希望有更多像長江存儲這樣的廠商，為消費者提供優(yōu)秀的產(chǎn)品。只有這樣，我們自己的半導體產(chǎn)業(yè)才能快速發(fā)展。

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