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今日更新電容器原理(MOS管電容的工作原理)

2022-05-13 19:12:53 行業(yè)快訊 來(lái)源:
導(dǎo)讀 目前大家應(yīng)該是對(duì)電容器原理(MOS管電容的工作原理)比較感興趣的,所以今天好房網(wǎng)小編CC就來(lái)為大家整理了一些關(guān)于電容器原理(MOS管電容的
目前大家應(yīng)該是對(duì)電容器原理(MOS管電容的工作原理)比較感興趣的,所以今天好房網(wǎng)小編CC就來(lái)為大家整理了一些關(guān)于電容器原理(MOS管電容的工作原理)方面的相關(guān)知識(shí)來(lái)分享給大家,希望大家會(huì)喜歡哦。

電容器原理(MOS管電容的工作原理)

01 、MOS管電容的工作原理

我們從Gate的工作電壓,討論NMOS管形成的電容。以下是NMOS電容的C-V特性曲線。

MOS管電容的工作原理

當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí),在靠近襯底的氧化層面,會(huì)吸引空穴,這時(shí)候的NMOS管工作在積累區(qū),形成了以Gate和空穴為極板,氧化層為介質(zhì)的電容。

MOS管電容的工作原理

當(dāng)Gate的電壓在0到VTH時(shí),NMOS管工作在亞閾值區(qū)。在這個(gè)區(qū)域,Gate電壓上升,空穴逐漸被排斥,開始形成耗盡層,NMOS進(jìn)入弱反型,這時(shí)NMOS相當(dāng)于柵氧化層和耗盡層兩個(gè)電容串聯(lián),容值減少,處于NMOS管電容的C-V曲線的凹陷區(qū)域。

MOS管電容的工作原理

當(dāng)Gate的電壓大于VTH時(shí),NMOS反型層形成,NMOS管導(dǎo)通。這時(shí)候,形成了Gate和反型層為極板,氧化層為介質(zhì)的的電容,電容值和積累區(qū)的容值一樣。

MOS管電容的工作原理

02 、Layout中的MOS管電容

我們?cè)贚ayout時(shí),會(huì)在一些空的地方加上接電源地的MOS電容,這時(shí)候我們需要特別注意電源電壓。

若是3V的電源,就不能用8V的MOS做電容了,防止電壓擊穿MOS的氧化層,要用氧化層厚點(diǎn)的3V的MOS。

若是8V的電源,可以用3V的MOS電容,也可以用8V的MOS電容。但是,從容值角度考慮,在相同面積下,應(yīng)該用容值更大的MOS電容,3V的MOS的氧化層比8V的MOS氧化層厚,這樣容值就相對(duì)8V的MOS小了,所以應(yīng)該選8V的MOS電容。

比如0V的電壓域,選擇MOS管做電容,就不能簡(jiǎn)單的用普通的MOS管了,普通的MOS管,閾值電壓VTH比較大,0V電壓可能讓普通MOS管進(jìn)入亞閾值區(qū),容值處于C-V特性曲線的凹陷區(qū)域,這時(shí)候電容值就很小了。為了避免這種情況出現(xiàn),可以選用閾值電壓VTH接近于0的native MOS。

總之,選擇MOS類型時(shí),需要特別關(guān)注用于哪個(gè)電壓域。


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