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先進內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天宣布，它已成功出貨了 100 萬個基于極紫外 (EUV) 技術(shù)的業(yè)界首款 10納米級 (D1x) DDR4 (雙倍數(shù)據(jù)速率 4) DRAM 模塊。新的基于 EUV 的 DRAM 模塊已完成全球客戶評估，并將為用于高端 PC、移動、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的更多尖端 EUV 工藝節(jié)點打開大門。
三星電子 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 Jung-bae Lee 表示：“隨著我們基于 EUV 的新型DRAM的生產(chǎn)，我們充分致力于提供革命性的 DRAM 解決方案以支持我們的全球 IT 客戶。“這一重大進步凸顯了我們將如何通過及時為高端內(nèi)存市場開發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)和下一代內(nèi)存產(chǎn)品，繼續(xù)為全球 IT 創(chuàng)新做出貢獻。”
三星率先在 DRAM 生產(chǎn)中采用 EUV，以克服DRAM 縮放方面的挑戰(zhàn)。EUV 技術(shù)減少了多重圖案化中的重復(fù)步驟并提高了圖案化精度，從而提高了性能和良率并縮短了開發(fā)時間。
EUV 將全面部署在三星的未來幾代 DRAM 中，從其第四代 10 納米級 (D1a) 或高度先進的 14 納米級 DRAM 開始。三星預(yù)計明年將開始批量生產(chǎn)基于 D1a 的 DDR5 和 LPDDR5，這將使 12 英寸 D1x 晶圓的制造生產(chǎn)率提高一倍。
隨著明年DDR5/LPDDR5市場的擴大，公司將進一步加強與領(lǐng)先IT客戶和半導(dǎo)體廠商在優(yōu)化標(biāo)準規(guī)格方面的合作，加速整個內(nèi)存市場向DDR5/LPDDR5的過渡。
為了更好地滿足對下一代優(yōu)質(zhì) DRAM 不斷增長的需求，三星將在今年下半年開始在韓國平澤開設(shè)第二條半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
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