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內(nèi)存的時序參數(shù)表示(內(nèi)存時序是什么 單位是什么)

2022-09-28 21:44:26 百科全書來源:
導(dǎo)讀 今天小編來給大家分享一些關(guān)于內(nèi)存時序是什么 單位是什么方面的知識吧,希望大家會喜歡哦1、內(nèi)存時序(英語:Memory timings或RAM tim...

今天小編來給大家分享一些關(guān)于內(nèi)存時序是什么 單位是什么方面的知識吧,希望大家會喜歡哦

1、內(nèi)存時序(英語:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數(shù):CL、TRCD、TRP和TRAS,單位為時鐘周期。

2、它們通常被寫為四個用破折號分隔開的數(shù)字,例如7-8-8-24。第四個參數(shù)(RAS)經(jīng)常被省略,而有時還會加入第五個參數(shù):Command rate(命令速率),通常為2T或1T,也寫作2N、1N。這些參數(shù)指定了影響隨機存取存儲器速度的潛伏時間(延遲時間)。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實際的延遲時間,通常以納秒為單位。

本文到此結(jié)束,希望對大家有所幫助。


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