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導(dǎo)讀 1 IGBT是一種絕緣柵雙極晶體管，是由BJT雙極晶體管和MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合型全控壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻
1.IGBT是一種絕緣柵雙極晶體管，是由BJT雙極晶體管和MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合型全控壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅(qū)動(dòng)電流高。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率低，開(kāi)關(guān)速度快，但開(kāi)關(guān)壓降大，載流密度低。
2.IGBT結(jié)合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅(qū)動(dòng)功率和低飽和電壓。非常適合用于DC電壓600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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