想必現(xiàn)在有很多小伙伴對于多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) ．分離SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法為 蒸餾 蒸餾 ． （2）900℃以上，H 2 與SiHCl 3 發(fā)生如下反應(yīng)：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常數(shù)表達式為K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．為提高還原時SiHCl 3 的轉(zhuǎn)化率，可采取的措施有 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 ． （3）該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 與上述流程中的單質(zhì)發(fā)生化合反應(yīng)，可以制得SiHCl 3 ，其化學方程式為 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．","title_text":"多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) ．分離SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法為 蒸餾 蒸餾 ． （2）900℃以上，H 2 與SiHCl 3 發(fā)生如下反應(yīng)：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常數(shù)表達式為K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．為提高還原時SiHCl 3 的轉(zhuǎn)化率，可采取的措施有 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 ． （3）該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 與上述流程中的單質(zhì)發(fā)生化合反應(yīng)，可以制得SiHCl 3 ，其化學方程式為 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．方面的知識都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) ．分離SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法為 蒸餾 蒸餾 ． （2）900℃以上，H 2 與SiHCl 3 發(fā)生如下反應(yīng)：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常數(shù)表達式為K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．為提高還原時SiHCl 3 的轉(zhuǎn)化率，可采取的措施有 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 ． （3）該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 與上述流程中的單質(zhì)發(fā)生化合反應(yīng)，可以制得SiHCl 3 ，其化學方程式為 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．","title_text":"多晶硅生產(chǎn)工藝流程如下： （1）粗硅粉碎的目的是 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) 增大接觸面積，加快反應(yīng)速率，充分反應(yīng) ．分離SiHCl 3 （l）和SiCl 4 （l）的方法為 蒸餾 蒸餾 ． （2）900℃以上，H 2 與SiHCl 3 發(fā)生如下反應(yīng)：SiHCl 3 （g）+H 2 （g）?Si（s）+3HCl（g）；△H＞0，其平衡常數(shù)表達式為K= c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) c3(HCl) c(SiHCl)×c(H2) ．為提高還原時SiHCl 3 的轉(zhuǎn)化率，可采取的措施有 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 升高溫度或增大氫氣與SiHCl3的物質(zhì)的量之比或增大氫氣濃度 ． （3）該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 HCl、H 2 HCl、H 2 ． （4）SiCl 4 與上述流程中的單質(zhì)發(fā)生化合反應(yīng)，可以制得SiHCl 3 ，其化學方程式為 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 3SiCl 4 +Si+2H 2 ═4SiHCl 3 ．方面的知識分享給大家，希望大家會喜歡哦。分析：（1）根據(jù)固體表面積越大，化學反應(yīng)速率越快；根據(jù)互溶的液體采用蒸餾的方法分離；
（2）根據(jù)平衡常數(shù)的概念；根據(jù)外界條件對平衡的影響；
（3）根據(jù)化學根據(jù)反應(yīng)物中和生成物中都有的物質(zhì)考慮；
（4）根據(jù)題目信息以及原子守恒來書寫；