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晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（代表英文中Negative），N型半導(dǎo)體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。

擴(kuò)展資料

J型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱

V型槽場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

是于出產(chǎn)常頭共具，礦團(tuán)標(biāo)包。

注：這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 、V型槽溝道場(chǎng)效應(yīng)管 是 單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和 雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）

參考資料來源：

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