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想必現(xiàn)在有很多小伙伴對于1n5822和1n5824的區(qū)別方面的知識都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于1n5822和1n5824的區(qū)別方面的知識分享給大家，希望大家會喜歡哦。
1、區(qū)別如下：
2、1、1N5822的最大正向連續(xù)電流是3A，反向耐壓40V；1N5824的最大正向連續(xù)電流是5A，反向耐壓30V。
3、2、LM2596的最大輸出電流也是3A，用1N5824留有一定的余量，如果用1N5822，而且LM2596經(jīng)常處于滿負載輸出狀態(tài)下，那就一點余量也沒有了。
4、版反再權(quán)歸芝士回答網(wǎng)站或保原作者卻所長有
5、這里的輸出電壓只有3.3V，輸入電壓也只有24V，無論1N5822還是1N5824，耐反壓指標都綽綽有余，所以原電路圖中用1N5824是合理的。所以不可用1N5822代替5824。
6、在作里當前手階油速研驗，技消斯專引。
7、擴展資料：
8、是在于制事明月論九權(quán)帶，萬整效。
9、肖特基二極管的原理：
10、肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。
11、因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。
12、顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。
13、但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
14、典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。
15、N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。
16、通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
17、綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
18、參考資料來源：
19、參考資料來源：
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