想必現(xiàn)在有很多小伙伴對(duì)于以氮化鎵（$\mathrm{GaN}$）為首的第三代半導(dǎo)體材料適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常也稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：基態(tài)$\mathrm{Ga}$原子價(jià)層電子的電子排布圖為_(kāi)___；第二周期中，第一電離能介于$\mathrm{N}$和$\mathrm{B}$之間的元素有____種。$\mathrm{HCN}$分子中$\mathrm{\sigma }$鍵與$\mathrm{\pi }$鍵的數(shù)目之比為_(kāi)___，其中$\mathrm{\sigma }$鍵的對(duì)稱(chēng)方式為_(kāi)___。與${\mathrm{CN}}^{-}$互為等電子體的一種分子為_(kāi)___。${\mathrm{NaN}}_{3}$是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子與$\mathrm{C}{\mathrm{O}}_{2}$互為等電子體，陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)___。${\mathrm{NF}}_{3}$的空間構(gòu)型為_(kāi)___。$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$、$\mathrm{GaAs}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因____。$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$$\mathrm{GaAs}$熔點(diǎn)$1700℃$$1480℃$$1238℃$$\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏伽德羅常數(shù)的值為${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$。（1）晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周?chē)嚯x最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為_(kāi)___；（2）從$\mathrm{GaN}$晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為_(kāi)___$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"以氮化鎵（$\mathrm{GaN}$）為首的第三代半導(dǎo)體材料適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常也稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料。回答下列問(wèn)題：基態(tài)$\mathrm{Ga}$原子價(jià)層電子的電子排布圖為_(kāi)___；第二周期中，第一電離能介于$\mathrm{N}$和$\mathrm{B}$之間的元素有____種。$\mathrm{HCN}$分子中$\mathrm{\sigma }$鍵與$\mathrm{\pi }$鍵的數(shù)目之比為_(kāi)___，其中$\mathrm{\sigma }$鍵的對(duì)稱(chēng)方式為_(kāi)___。與${\mathrm{CN}}^{-}$互為等電子體的一種分子為_(kāi)___。${\mathrm{NaN}}_{3}$是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子與$\mathrm{C}{\mathrm{O}}_{2}$互為等電子體，陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)___。${\mathrm{NF}}_{3}$的空間構(gòu)型為_(kāi)___。$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$、$\mathrm{GaAs}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因____。$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$$\mathrm{GaAs}$熔點(diǎn)$1700℃$$1480℃$$1238℃$$\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏伽德羅常數(shù)的值為${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$。（1）晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周?chē)嚯x最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為_(kāi)___；（2）從$\mathrm{GaN}$晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為_(kāi)___$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知識(shí)都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于以氮化鎵（$\mathrm{GaN}$）為首的第三代半導(dǎo)體材料適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常也稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：基態(tài)$\mathrm{Ga}$原子價(jià)層電子的電子排布圖為_(kāi)___；第二周期中，第一電離能介于$\mathrm{N}$和$\mathrm{B}$之間的元素有____種。$\mathrm{HCN}$分子中$\mathrm{\sigma }$鍵與$\mathrm{\pi }$鍵的數(shù)目之比為_(kāi)___，其中$\mathrm{\sigma }$鍵的對(duì)稱(chēng)方式為_(kāi)___。與${\mathrm{CN}}^{-}$互為等電子體的一種分子為_(kāi)___。${\mathrm{NaN}}_{3}$是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子與$\mathrm{C}{\mathrm{O}}_{2}$互為等電子體，陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)___。${\mathrm{NF}}_{3}$的空間構(gòu)型為_(kāi)___。$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$、$\mathrm{GaAs}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因____。$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$$\mathrm{GaAs}$熔點(diǎn)$1700℃$$1480℃$$1238℃$$\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏伽德羅常數(shù)的值為${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$。（1）晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周?chē)嚯x最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為_(kāi)___；（2）從$\mathrm{GaN}$晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為_(kāi)___$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"以氮化鎵（$\mathrm{GaN}$）為首的第三代半導(dǎo)體材料適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常也稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉?wèn)題：基態(tài)$\mathrm{Ga}$原子價(jià)層電子的電子排布圖為_(kāi)___；第二周期中，第一電離能介于$\mathrm{N}$和$\mathrm{B}$之間的元素有____種。$\mathrm{HCN}$分子中$\mathrm{\sigma }$鍵與$\mathrm{\pi }$鍵的數(shù)目之比為_(kāi)___，其中$\mathrm{\sigma }$鍵的對(duì)稱(chēng)方式為_(kāi)___。與${\mathrm{CN}}^{-}$互為等電子體的一種分子為_(kāi)___。${\mathrm{NaN}}_{3}$是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子與$\mathrm{C}{\mathrm{O}}_{2}$互為等電子體，陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)___。${\mathrm{NF}}_{3}$的空間構(gòu)型為_(kāi)___。$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$、$\mathrm{GaAs}$都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因____。$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$$\mathrm{GaAs}$熔點(diǎn)$1700℃$$1480℃$$1238℃$$\mathrm{GaN}$晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏伽德羅常數(shù)的值為${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$。（1）晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)$\mathrm{Ga}$原子周?chē)嚯x最近的$\mathrm{Ga}$原子數(shù)目為_(kāi)___；（2）從$\mathrm{GaN}$晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶體的密度為_(kāi)___$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知識(shí)分享給大家，希望大家會(huì)喜歡哦。

1、1. 【答案】

2、；3

3、【解析】

4、$mathrm{Ga}$原子價(jià)層電子有6個(gè)電子，4s能級(jí)上有2個(gè)電子，4p能級(jí)上有1個(gè)電子，其外圍電子排布圖為；同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但第ⅡA元素第一電離能大于第ⅢA元素，第ⅤA族的第一電離能大于第ⅥA族元素，所以第二周期中第一電離能順序?yàn)椋?mathrm{B}lt mathrm{Be}lt mathrm{C}lt mathrm{O}lt mathrm{N}$，第一電離能介于$mathrm{B}$、$mathrm{N}$之間第二周期元素有$mathrm{Be}$、$mathrm{C}$、$mathrm{O}$三種元素。

5、故答案為：；3。

6、2. 【答案】

7、$1：1$；軸對(duì)稱(chēng)；$mathrm{CO}$

8、【解析】

9、單鍵是一個(gè)$mathrm{sigma }$鍵，三鍵是一個(gè)$mathrm{sigma }$鍵2個(gè)$mathrm{pi }$鍵，通過(guò)$mathrm{HCN}$分子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式$mathrm{H}-mathrm{C}equiv mathrm{N}$可知含有2個(gè)$mathrm{sigma }$鍵2個(gè)$mathrm{pi }$鍵，得出$mathrm{sigma }$鍵與$mathrm{pi }$鍵的數(shù)目之比為$1：1$；$mathrm{sigma }$鍵的對(duì)稱(chēng)方式為軸對(duì)稱(chēng)；等電子體是指具有相同價(jià)電子數(shù)目和原子數(shù)目的分子或離子，與${mathrm{CN}}^{-}$互為等電子體的分子為$mathrm{CO}$。

10、故答案為：$1：1$；軸對(duì)稱(chēng)；$mathrm{CO}$。

11、3. 【答案】

12、sp；三角錐形

13、【解析】

14、氮原子形成單鍵時(shí)為${mathrm{sp}}^{3}$雜化，形成雙鍵時(shí)為${mathrm{sp}}^{2}$雜化，形成叁鍵時(shí)為sp雜化，${mathrm{N}}_{3}^{-}$中心原子的雜化軌道類(lèi)型為sp；${mathrm{NF}}_{3}$中$mathrm{N}$的雜化類(lèi)型為${mathrm{sp}}^{3}$，形成3個(gè)共用電子對(duì)，還有一對(duì)孤對(duì)電子，因而${mathrm{NF}}_{3}$的空間構(gòu)型為三角錐形。

15、故答案為：sp；三角錐形。

16、4. 【答案】

17、原子半徑$mathrm{N}lt mathrm{P}lt mathrm{As}$，鍵長(zhǎng)$mathrm{Ga}-mathrm{N}lt mathrm{Ga}-mathrm{P}lt mathrm{Ga}-mathrm{As}$，鍵能$mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{N}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{P}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{A}mathrm{s}$，故熔點(diǎn)降低

18、【解析】

19、原子半徑$mathrm{N}lt mathrm{P}lt mathrm{As}$，鍵長(zhǎng)$mathrm{Ga}-mathrm{N}lt mathrm{Ga}-mathrm{P}lt mathrm{Ga}-mathrm{As}$，鍵能$mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{N}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{P}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{A}mathrm{s}$，故熔點(diǎn)降低。

20、故答案為：原子半徑$mathrm{N}lt mathrm{P}lt mathrm{As}$，鍵長(zhǎng)$mathrm{Ga}-mathrm{N}lt mathrm{Ga}-mathrm{P}lt mathrm{Ga}-mathrm{As}$，鍵能$mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{N}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{P}gt mathrm{G}mathrm{a}-mathrm{A}mathrm{s}$，故熔點(diǎn)降低。

21、5. 【答案】

22、12；$dfrac{84sqrt{2}}{{mathrm{N}}_{mathrm{A}}{mathrm{a}}^{3}}$

23、【解析】

24、（1）從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3、6、3個(gè)配位原子，故配位數(shù)為12；

25、（2）六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點(diǎn)的原子為6個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為$dfrac{1}{6}$；②位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為$dfrac{1}{2}$；③位于晶胞側(cè)棱上的原子為3個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為$dfrac{1}{3}$，④位于晶胞底面上的棱棱心得原子為4個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞得貢獻(xiàn)為$dfrac{1}{4}$；⑤位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1，$mathrm{GaN}$晶胞中$mathrm{Ga}$原子個(gè)數(shù)為$12times dfrac{1}{6}+2times dfrac{1}{2}+3=6$，晶胞中$mathrm{N}$原子個(gè)數(shù)為$6times dfrac{1}{3}+4=6$，所以該結(jié)構(gòu)為${mathrm{Ga}}_{6}{mathrm{N}}_{6}$，質(zhì)量為$6times dfrac{84}{{mathrm{N}}_{mathrm{A}}}mathrm{g}$，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長(zhǎng)為acm，底面的面積為6個(gè)邊長(zhǎng)為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式，該底面的面積為$6times dfrac{sqrt{3}}{4}{mathrm{a}}^{2}{mathrm{ncm}}^{2}$，如圖所示可知高為2倍的正四面體高，$2times dfrac{sqrt{6}}{3}mathrm{acm}$，所以體積為$3sqrt{2}{mathrm{a}}^{3}$，密度為$dfrac{dfrac{6times 84}{{mathrm{N}}_{mathrm{A}}}}{3sqrt{2}{mathrm{a}}^{3}}=dfrac{84sqrt{2}}{{mathrm{N}}_{mathrm{A}}{mathrm{a}}^{3}}$。

26、故答案為：12；$dfrac{84sqrt{2}}{{mathrm{N}}_{mathrm{A}}{mathrm{a}}^{3}}$。

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