想必現(xiàn)在有很多小伙伴對于$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一種潛在的儲氫材料，它可由六元環(huán)狀化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通過$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子價電子排布式是______，核外電子運動狀態(tài)有______種。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的雜化類型是______，$N$與$B$之間的作用力是______。③與$\left(HB=NH\right)_{3}$互為等電子體的分子為______。（填寫分子式）$(2)$已知液態(tài)的二氧化硫可以發(fā)生類似的水自身電離反應(yīng)：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$與氮氣是等電子體，其中的$\sigma $鍵和$\pi $鍵數(shù)目之比為______，$SO_{3}^{2-}$空間構(gòu)型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可組成不同的單質(zhì)和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破壞臭氧層。$Cl_{2}O_{2}$的沸點比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化鎵是一種半導體材料。如圖所示，晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，頂點和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①與同一個$Ga$原子相連的$N$原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。②用三維坐標表示原子的位置（$)$，若$A$點的坐標是$\left(0,0,0\right)$，$b$點的坐標是______。③阿伏加德羅常數(shù)的值為$N_{A}$，則$GaN$晶體的密度為$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞邊長為______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$","title_text":"$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一種潛在的儲氫材料，它可由六元環(huán)狀化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通過$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子價電子排布式是______，核外電子運動狀態(tài)有______種。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的雜化類型是______，$N$與$B$之間的作用力是______。③與$\left(HB=NH\right)_{3}$互為等電子體的分子為______。（填寫分子式）$(2)$已知液態(tài)的二氧化硫可以發(fā)生類似的水自身電離反應(yīng)：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$與氮氣是等電子體，其中的$\sigma $鍵和$\pi $鍵數(shù)目之比為______，$SO_{3}^{2-}$空間構(gòu)型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可組成不同的單質(zhì)和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破壞臭氧層。$Cl_{2}O_{2}$的沸點比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化鎵是一種半導體材料。如圖所示，晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，頂點和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①與同一個$Ga$原子相連的$N$原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。②用三維坐標表示原子的位置（$)$，若$A$點的坐標是$\left(0,0,0\right)$，$b$點的坐標是______。③阿伏加德羅常數(shù)的值為$N_{A}$，則$GaN$晶體的密度為$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞邊長為______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$方面的知識都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一種潛在的儲氫材料，它可由六元環(huán)狀化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通過$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子價電子排布式是______，核外電子運動狀態(tài)有______種。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的雜化類型是______，$N$與$B$之間的作用力是______。③與$\left(HB=NH\right)_{3}$互為等電子體的分子為______。（填寫分子式）$(2)$已知液態(tài)的二氧化硫可以發(fā)生類似的水自身電離反應(yīng)：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$與氮氣是等電子體，其中的$\sigma $鍵和$\pi $鍵數(shù)目之比為______，$SO_{3}^{2-}$空間構(gòu)型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可組成不同的單質(zhì)和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破壞臭氧層。$Cl_{2}O_{2}$的沸點比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化鎵是一種半導體材料。如圖所示，晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，頂點和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①與同一個$Ga$原子相連的$N$原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。②用三維坐標表示原子的位置（$)$，若$A$點的坐標是$\left(0,0,0\right)$，$b$點的坐標是______。③阿伏加德羅常數(shù)的值為$N_{A}$，則$GaN$晶體的密度為$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞邊長為______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$","title_text":"$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一種潛在的儲氫材料，它可由六元環(huán)狀化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通過$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子價電子排布式是______，核外電子運動狀態(tài)有______種。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的雜化類型是______，$N$與$B$之間的作用力是______。③與$\left(HB=NH\right)_{3}$互為等電子體的分子為______。（填寫分子式）$(2)$已知液態(tài)的二氧化硫可以發(fā)生類似的水自身電離反應(yīng)：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$與氮氣是等電子體，其中的$\sigma $鍵和$\pi $鍵數(shù)目之比為______，$SO_{3}^{2-}$空間構(gòu)型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可組成不同的單質(zhì)和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破壞臭氧層。$Cl_{2}O_{2}$的沸點比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化鎵是一種半導體材料。如圖所示，晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，頂點和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①與同一個$Ga$原子相連的$N$原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。②用三維坐標表示原子的位置（$)$，若$A$點的坐標是$\left(0,0,0\right)$，$b$點的坐標是______。③阿伏加德羅常數(shù)的值為$N_{A}$，則$GaN$晶體的密度為$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞邊長為______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$方面的知識分享給大家，希望大家會喜歡哦。

1、（1）①主族元素的價電子就是最外層電子，$N$最外層為第二層，排布$5$個電子。

2、對應(yīng)排布式為：$2s^{2}2p^{3}$；$N$原子共有$7$個電子，每一個電子運動狀態(tài)都是不同的（即使是同一軌道內(nèi)自旋方向也是不同的），故核外電子運動狀態(tài)有$7$種。

3、故答案為：$2s^{2}2p^{3}$；$7$；②$B$原子連了$3$個$H$原子和$1$個$N$原子，其中$Narrow B$為配位鍵，故$B$共有$4$對價層電子對。

4、根據(jù)雜化理論知其為$sp^{3}$雜化；$B$原子有$3$個價電子，按照價鍵理論只能形成$3$個共價鍵，故與$N$之間的共價鍵為配位鍵。

5、$N$提供孤電子對，$B$提供空軌道，故答案為：$sp^{3}$；配位鍵；③將分子中的$B$、$N$原子均換成$C$原子。

6、可保證原子數(shù)和價電子數(shù)均不變，故其等電子體為苯，分子式為$C_{6}H_{6}$。

7、故答案為：$C_{6}H_{6}$；$(2)$等電子體具有相似的化學鍵結(jié)構(gòu)，故$SO^{2+}$中$S$與$O$之間為三鍵，$1$個為$sigma $鍵。

8、$2$個為$pi $鍵；亞硫酸根離子中心$S$原子的價層電子對$=sigma $電子對$+$孤電子對$=3+frac{6+2-2×3}{2}=4$，根據(jù)價層電子對互斥理論知，亞硫酸根離子空間構(gòu)型為三角錐形。

9、故答案為：$1:2$；三角錐形；$(3)$雖然$Cl_{2}O_{2}$相對分子質(zhì)量比$H_{2}O_{2}$大，但$H_{2}O_{2}$分子間能形成氫鍵，故沸點比$Cl_{2}O_{2}$高。

10、故答案為：$H_{2}O_{2}$分子間能形成氫鍵；$(4)$①該晶胞中含有$N$原子$4$個，$Ga$原子個數(shù)為$8times frac{1}{8}+6times frac{1}{2}=4$，故兩者之比為$1:1$。

11、兩者配位數(shù)相同，由圖示可知$N$原子配位數(shù)為$4$，故$Ga$配位數(shù)也為$4$。

12、即$1$個$Ga$連接$4$個$N$，其空間構(gòu)型類似$CH_{4}$，為正四面體。

13、故答案為：正四面體；②將晶胞分割成$8$個小立方體，$b$點位于小立方體的體心，$x$、$z$軸等于邊長的$frac{1}{4}$。

14、$y$軸等于邊長的$frac{3}{4}$，故$b$點坐標為（$frac{1}{4}$，$frac{1}{4}$。

15、$frac{3}{4})$，故答案為：（$frac{1}{4}$，$frac{1}{4}$。

16、$frac{3}{4})$；③由①問分析知，該晶胞中含$4$個$GaN$，故晶胞的質(zhì)量$=frac{4×84}{{N}_{A}}g$。

17、設(shè)邊長為$acm$，則晶胞體積$=a^{3}cm^{3}$，故晶胞密度$rho =frac{frac{4×84}{{N}_{A}}}{a{}^{3}}gcdot cm^{-3}$。

18、解得$a=sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}cm$，即$sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}times 10^{10}pm$，故答案為：$sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}times 10^{10}$。

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