雖然市場上主流的SSD是TLC或者QLC，但是目前閃存廠商都在嘗試開發(fā)下一代閃存產(chǎn)品。

2019年，赤霞(原東芝存儲)開始討論每存儲單元5位的PLC 3D NAND閃存技術(shù)。時隔三年后，該公司開始展示每存儲單元6位的HLC或每存儲單元8位的OLC 3D NAND閃存技術(shù)。

眾所周知，對于存儲單元中的每一個額外的數(shù)據(jù)比特，都需要維持更多不同的電壓電平。比如MLC或2LC需要維持4級，TLC或3LC需要8級，QLC需要16級，PLC需要32級，而赤霞做的HLC或6LC現(xiàn)在需要多達64級。

這是一個巨大的挑戰(zhàn)。

首先廠商需要找到能維持這么多能級值的材料，然后實現(xiàn)能級區(qū)分，保證能級態(tài)不會互相干擾。溫度控制變得比以往任何時候都重要，因為位數(shù)越多，溫度越難控制。

赤霞的R&D工作人員將公司現(xiàn)有的3D NAND閃存顆粒倒入零下196攝氏度的液氮中冷卻，以消除重寫周期導致的器件退化。這種極低的溫度有助于降低對隧道膜的要求，降低電平電壓值和穩(wěn)定材料。?？傊?，這極大地改善了IC的物理特性和工藝。

經(jīng)過這樣的異常處理，赤霞的研發(fā)人員實現(xiàn)了100分鐘每個存儲單元6位數(shù)據(jù)的讀寫，耐久性達到了1000次循環(huán)。當然，這離不開零下196攝氏度的幫助。估計如果在室溫下，耐久性會下降一個數(shù)量級到100次循環(huán)。

與QLC相比，HLC的存儲密度增加了50%，與PLC相比，僅增加了25%。HLC具有較高的商業(yè)實現(xiàn)價值。此外，俠義還認為OLC或8LC在技術(shù)上是可能的。目前的主要問題是找到合適的材料、設(shè)計和主控，最終可能使6LC和8LC具有商業(yè)可行性。

但是如果這樣的努力失敗了，人類的閃存技術(shù)可能還停留在PLC或者5LC上，TLC目前還會存在很長一段時間。

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