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三星電子通過(guò)最新的硅創(chuàng)新和生態(tài)系統(tǒng)平臺(tái)展示先進(jìn)代工技術(shù)的領(lǐng)先地位

2021-07-18 13:58:32 科技 來(lái)源：
導(dǎo)讀 三星電子是先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今天在 2019 年三星代工論壇上宣布其對(duì)代工創(chuàng)新和服務(wù)的持續(xù)承諾，為硅社區(qū)提供廣泛的技術(shù)進(jìn)步更

三星電子是先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今天在 2019 年三星代工論壇上宣布其對(duì)代工創(chuàng)新和服務(wù)的持續(xù)承諾，為硅社區(qū)提供廣泛的技術(shù)進(jìn)步更新，以支持當(dāng)今最苛刻的應(yīng)用和明天。

該活動(dòng)今天在加利福尼亞州圣克拉拉舉行，三星高管和行業(yè)專家將回顧半導(dǎo)體技術(shù)和代工平臺(tái)解決方案的進(jìn)展，這些解決方案支持人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)、5G 網(wǎng)絡(luò)、汽車、物聯(lián)網(wǎng) ( IoT)、高級(jí)數(shù)據(jù)中心和許多其他領(lǐng)域。

“我們正處于第四次工業(yè)革命的邊緣，這是一個(gè)高性能計(jì)算和連接的新時(shí)代，它將改善地球上每個(gè)人的日常生活，”三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 ES Jung 博士說(shuō).

“三星電子完全明白，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大而可靠的硅解決方案不僅需要最先進(jìn)的制造和封裝工藝以及設(shè)計(jì)解決方案，還需要基于信任和共同愿景的代工-客戶協(xié)作關(guān)系。今年的鑄造論壇充滿了令人信服的證據(jù)，證明我們致力于在所有這些領(lǐng)域取得進(jìn)步，我們很榮幸能夠與我們行業(yè)最優(yōu)秀和最聰明的人進(jìn)行交流，”Jung 博士補(bǔ)充道。

鑄造論壇的亮點(diǎn)包括：

新的 3nm GAE PDK 0.1 版已準(zhǔn)備就緒

三星的 3nm Gate-All-Around (GAA) 工藝 3GAE 正在開(kāi)發(fā)中。該公司今天指出，其用于 3GAE 的工藝設(shè)計(jì)套件 (PDK) 0.1 版已于 4 月發(fā)布，以幫助客戶盡早開(kāi)始設(shè)計(jì)工作，并在縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間 (TAT) 的同時(shí)提高設(shè)計(jì)競(jìng)爭(zhēng)力。

與 7nm 技術(shù)相比，三星的 3GAE 工藝旨在將芯片面積減少 45%，同時(shí)功耗降低 50%，性能提高 35%?；?GAA 的工藝節(jié)點(diǎn)有望在下一代應(yīng)用中得到廣泛采用，例如移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、汽車、人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng)。

基于納米線的傳統(tǒng) GAA 由于其有效溝道寬度小而需要更多的堆疊。另一方面，三星的 GAA 專利版本 MBCFET™(多橋通道 FET)使用納米片架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)每個(gè)堆棧更大的電流。

雖然 FinFET 結(jié)構(gòu)必須以離散方式調(diào)節(jié)鰭的數(shù)量，但 MBCFET™ 通過(guò)控制納米片寬度提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。此外，MBCFET™ 與 FinFET 工藝的兼容性意味著兩者可以共享相同的制造技術(shù)和設(shè)備，從而加快工藝開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)量產(chǎn)。

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