想必現(xiàn)在有很多小伙伴對(duì)于工業(yè)上利用$Ga$與$NH_{3}$高溫條件下合成半導(dǎo)體材料氮化鎵$\left(GaN\right)$固體同時(shí)有氫氣生成。反應(yīng)中，每生成$3mol H_{2}$時(shí)放出$30.8kJ$的熱量。恒溫恒容密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述反應(yīng)，下列有關(guān)表達(dá)正確的是（ ）A.$Ⅰ$圖象中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則$t$時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓B.$Ⅱ$圖象中縱坐標(biāo)可以為$NH_{3}$的平衡轉(zhuǎn)化率C.Ⅲ圖象中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率D.Ⅳ圖象中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量","title_text":"工業(yè)上利用$Ga$與$NH_{3}$高溫條件下合成半導(dǎo)體材料氮化鎵$\left(GaN\right)$固體同時(shí)有氫氣生成。反應(yīng)中，每生成$3mol H_{2}$時(shí)放出$30.8kJ$的熱量。恒溫恒容密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述反應(yīng)，下列有關(guān)表達(dá)正確的是（ ）A.$Ⅰ$圖象中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則$t$時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓B.$Ⅱ$圖象中縱坐標(biāo)可以為$NH_{3}$的平衡轉(zhuǎn)化率C.Ⅲ圖象中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率D.Ⅳ圖象中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量方面的知識(shí)都比較想要了解，那么今天小好小編就為大家收集了一些關(guān)于工業(yè)上利用$Ga$與$NH_{3}$高溫條件下合成半導(dǎo)體材料氮化鎵$\left(GaN\right)$固體同時(shí)有氫氣生成。反應(yīng)中，每生成$3mol H_{2}$時(shí)放出$30.8kJ$的熱量。恒溫恒容密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述反應(yīng)，下列有關(guān)表達(dá)正確的是（ ）A.$Ⅰ$圖象中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則$t$時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓B.$Ⅱ$圖象中縱坐標(biāo)可以為$NH_{3}$的平衡轉(zhuǎn)化率C.Ⅲ圖象中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率D.Ⅳ圖象中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量","title_text":"工業(yè)上利用$Ga$與$NH_{3}$高溫條件下合成半導(dǎo)體材料氮化鎵$\left(GaN\right)$固體同時(shí)有氫氣生成。反應(yīng)中，每生成$3mol H_{2}$時(shí)放出$30.8kJ$的熱量。恒溫恒容密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述反應(yīng)，下列有關(guān)表達(dá)正確的是（ ）A.$Ⅰ$圖象中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則$t$時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓B.$Ⅱ$圖象中縱坐標(biāo)可以為$NH_{3}$的平衡轉(zhuǎn)化率C.Ⅲ圖象中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率D.Ⅳ圖象中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量方面的知識(shí)分享給大家，希望大家會(huì)喜歡哦。

1、$A$.如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，升高溫度或增大壓強(qiáng)，反應(yīng)速率增大。

2、圖象符合題意，故$A$正確；$B$.增大壓強(qiáng)，平衡逆向移動(dòng)。

3、則氨氣的轉(zhuǎn)化率減小，故$B$錯(cuò)誤；$C.Ga$是固體，其質(zhì)量不影響反應(yīng)速率。

4、故$C$錯(cuò)誤；$D$.相同壓強(qiáng)下，升高溫度，平衡逆向移動(dòng)。

5、平均相對(duì)分子質(zhì)量增大；相同溫度下，增大壓強(qiáng)，平衡逆向移動(dòng)。

6、平均相對(duì)分子質(zhì)量增大，所以壓強(qiáng)大的曲線在上面，故$D$錯(cuò)誤；故選：$A$。

本文到此結(jié)束，希望對(duì)大家有所幫助。

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